配资坊这家公司宣布进军12吋碳化硅！

随着电动车、新能源及AI服务器等领域对高功率、高可靠性半导体需求的持续攀升配资坊，第三代半导体的重要性凸显。中国台湾地区加速发力，积极布局。近日格棋化合物半导体宣布将加速布局12吋碳化硅。

格棋：进军12吋碳化硅

据科技新报报道，9月2日，格棋化合物半导体宣布将往大尺寸碳化硅布局。董事长张忠杰表示，格棋目前的技术实力已经达到业界第一、第二的水准，同时积极布局更大尺寸的长晶炉，并在研发阶段展开相关规划。

格棋化合物半导体成立于2022年，是一家位于中国台湾的碳化硅长晶厂商。主要产品包括6英寸及8英寸N型晶体，以及6英寸N型碳化硅衬底、晶锭等，应用于电动车及能源基础建设等领域。

图片来源：格棋化合物半导体图为6吋N型SiC单晶錠

张忠杰强调，6吋平台现阶段仍为公司量产主轴，具备规模效益与良率控制优势；同时，8吋晶种长晶与热场模组设计已完成前期验证，后续将依据客户产品世代转换与应用需求，适时导入8吋制程平台，确保良率稳定性与成本效益的最佳平衡。

展开剩余68%

在产能部署方面，格棋预计于2025年底将长晶炉数量扩增至百台规模，搭配自主切割与检测能力，建构可控交期、弹性扩产的完整量产体系。目前产品线已支援多项高功率应用，包括电动车主驱模组、光储逆变器与AI高效伺服器，并陆续进入国际客户验证流程。

格棋也透露，目前6吋和8吋机台已可以调控共用配资坊，随着第四季日韩客户放量，也跟两、三间公司洽谈LTA（Long Term Agreement），并积极布局12吋厂规划，顺利的话，明年上半年将分别扩充8吋和12吋产能，而8吋产能预期将翻倍。

目前，格棋已同步启动北美、日本与欧洲等区域合作计划，未来将依据业务拓展进程设立技术服务据点，提供贴近需求的材料建议与应用支援，加速碳化硅在全球高功率应用的落地进程。

据悉，2023年10月，格棋宣布成功完成了15亿新台币（约3.33亿人民币）的A轮融资，用于推进6吋SiC生产线的小规模试量产，同时寻求更大的新厂房土地展开大量生产。

2024年10月，格棋位于桃园中坜区的新工厂落成，总投资金额达6亿新台币（约合1.33亿人民币），规划6英寸碳化硅衬底月产能5000片。2024年底前，新厂安装了20台8英寸长晶炉及100台6英寸长晶炉。此外，格棋还计划投资57亿元新台币（约12.73亿人民币）于中坜工业区兴建新厂房及扩建产线。

台湾地区积极布局第三代半导体

凭借完善的产业链优势，中国台湾地区积极布局第三代半导体，此前中国台湾科学技术委员会（NSTC）宣布“下一代化合物半导体前瞻研发计划”，重点发展GaN、SiC、Ga2O3、金刚石等宽禁带半导体材料，并开发具有高工作电压、低导通电阻的GaN、SiC元件，以取代传统的硅功率器件。

除格棋化合物半导体外，还有多家第三代半导体企业，如台湾应用晶体、汉磊先进投资控股股份有限公司、鸿海科技集团、积亚半导体等。

台湾应用晶体成立于2012年，是台湾光学巨头大立光电旗下的子公司，原本是主做晶体设备，后在2023年7月，与台湾中山大学签订价值 5000万新台币的技术转移合同，正式跨入第三代半导体领域。台湾应用晶体在6英寸及8英寸SiC衬底产品正式量产后，还计划2026年量产 SiC外延产品。同时，公司正与成大一起合作开发第四代半导体材料氧化镓，目前处于初步阶段。

汉磊先进投资控股股份有限公司专注于GaN及SiC功率半导体元件的开发量产。2024年9月，台积电旗下的世界先进宣布以5.5亿元人民币收购汉磊科技13%股权，估值超42亿元，合作聚焦8英寸SiC晶圆技术开发，预计2026年下半年量产。有供应链消息称，汉磊投控目标在2026年上半年将6英寸SiC月产能提升至目前的一倍以上，达到5000片晶圆的规模。

茂矽电子2025年6月底完成碳化硅制程产线建设，计划于下半年开启试量产，这一产线将使茂矽电子每月新增3000片的碳化硅晶圆产能。茂矽电子2025年第一季度（1月至3月）的营收达到5.51亿新台币，与去年同期相比大幅增长44.87%。

（文/集邦化合物半导体金水整理）配资坊

发布于：广东省

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